
石墨烯場效應晶體管芯片S20
·生長方法:CVD合成
·聚合物輔助轉移
·芯片尺寸:10 mm x 10 mm
·切屑厚度:675μm
·每個芯片的GFET數(shù)量:12
·柵極氧化物厚度:90 nm
·柵極氧化物材料:SiO2
·襯底電阻率:1-10Ω.cm
·金屬化:Au觸點
·石墨烯場效應遷移率:>1000 cm2/V.s
·封裝:50 nm Al2O3
·狄拉克點(背柵):±2V
·狄拉克點(液體門控):<1V
·最小工作裝置:>75%
·最大柵源電壓:±2V
·最高額定溫度:150°C
·最大漏源電流密度:107A.cm-2
價格:4800元/片
jc@jcno.net
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