Graphenea石墨烯場效應晶體管芯片S31
·生長方法:CVD合成
·聚合物輔助轉移
·芯片尺寸:10 mm x 10 mm
·切屑厚度:525μm
·每個芯片的通道數:30
·柵極氧化物厚度(EOT):20 nm
·柵極氧化物材料:Al2O3
·介電擊穿:>13kV/mm
·金屬化:Au觸點
·石墨烯場效應遷移率:>600 cm2/V.s
·狄拉克點:<5 V
·收益率:>75%
·最大柵源電壓:±5V
·最高額定溫度:150°C
·最大漏源電流密度:107A.cm-2
資料下載:
Graphenea_GFET-S31 (jcno.net)
價格:6800元/片
jc@jcno.net
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