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華中科技大學(xué)Kai Yang、Guoqing Xin和西安電子科技大學(xué)Dongdong Chen課題組--利用自組裝單層增強石墨烯器件的熱管理
       二維石墨烯由于其優(yōu)越的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能,在后摩爾時代成為硅的有力競爭者。然而,當(dāng)石墨烯與非晶襯底耦合時,其面內(nèi)導(dǎo)熱性會發(fā)生強烈的退化。同時,石墨烯與介質(zhì)襯底之間微弱的范德華相互作用導(dǎo)致界面熱阻高。器件散熱面臨嚴峻挑戰(zhàn),熱點升高,電氣性能下降。在這里,應(yīng)用自組裝單層(SAMs)來修飾石墨烯和氧化物襯底之間的界面,并減輕器件中的熱問題。−NH2端接的SAM增強了石墨烯與襯底之間的界面耦合強度,增加了界面導(dǎo)熱系數(shù)。−CH3端接的SAM有效地抑制了襯底聲子散射,保持了石墨烯的高面內(nèi)導(dǎo)熱性。特別是,−NH2端接的SAM顯著提高了石墨烯場效應(yīng)晶體管的散熱效率,緩解了自熱問題。器件的載流容量和最大功率密度分別提高了28.1%和48.2%。研究提供了一個非常有吸引力的平臺,用于整合地對空導(dǎo)彈來改善二維電子器件的熱管理。
 
 
圖1. 不同基底上的單層石墨烯。(a) SiO2、APTES/SiO2和ODTS/SiO2上石墨烯的結(jié)構(gòu)示意圖。ODT和APET上的末端官能團分別為−CH3和−NH2。(b) 原始SiO2、APTES/SiO2和ODTS/SiO2襯底的AFM圖像;比例尺為1μm。(c) (b)中樣品表面的高度直方圖。(d) 原始SiO2、APTES/SiO2和ODTS/SiO2基板的接觸角。
 
  
圖2. (a) 石墨烯在不同改性層上的熱導(dǎo)率測量。(a、b)懸掛式電熱測溫平臺示意圖(a)和掃描電鏡圖像(b)。(c) 原始SiO2、APTES/SiO2和ODTS/SiO2襯底上石墨烯樣品的熱導(dǎo)率。(d) 不同襯底上石墨烯薄膜的熱導(dǎo)率隨溫度的變化。比較顯示了文獻中CVD生長石墨烯樣品的熱導(dǎo)率測量值。
 
 
圖3. 石墨烯與不同襯底耦合的TBC測量。(a) 設(shè)備熱阻分布示意圖。(b–d)原始SiO2(b)、ODT/SiO2(c)和APTES/SiO2(d)上的ΔTGr和ΔTSi與P的關(guān)系。(e) 石墨烯在不同基底上的TBC。(f) 與其他報道的石墨烯和SiO2的TBC的比較證明了我們的基底修飾的積極影響。
 
  圖4. 石墨烯熱性能增強機理的研究。(a)不同改性層石墨烯碳原子的XPS光譜。(b)石墨烯的紫外發(fā)射光譜。(c)石墨烯薄膜在APTES/SiO2、ODTS/SiO2和SiO2上的拉曼光譜,石墨烯的特征G峰和2D峰。(d) ODTS(左)和APTES(右)石墨烯器件的散熱示意圖。
 
 
圖5. 各種襯底上G-FET的電學(xué)和熱學(xué)測量。(a) 溝道尺寸為3×6μm2的G-FET器件的高場擊穿。(b) 拉曼測溫測量裝置示意圖。(C) 在工作功率為8 mW時,分別在SiO2(左)、ODTS/SiO2(中)和APTES/SiO2(右)上繪制石墨烯溝道溫度圖。(d和e)分別在APTES/SiO2、ODTS/SiO2和SiO2上的G-FET器件的最大電流密度(d)和功率密度(e)。比例尺為1μm。
 
       相關(guān)研究成果由華中科技大學(xué)Kai YangGuoqing Xin西安電子科技大學(xué)Dongdong Chen課題組2024年發(fā)表在ACS Applied Materials & Interfaces (鏈接:https://doi.org/10.1021/acsami.4c14463)上。原文:Enhancing Thermal Management of Graphene Devices by Self-Assembled Monolayers

轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號


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